超轻薄、超大容量存储里程碑

传统数据存储一直依赖“开”“关”切换的系统，但存储二进化状态的存储组件本身尺寸，却限制设备能容纳的资讯量。芝加哥大学研究人员14日发布研究成果，成功在仅1毫米大小晶体内存储数TB的数据，为今后存储解决方案取得突破性的里程碑。

这项研究发表在《纳米光子学》（Nanophotonics）期刊，探讨了原子尺度的晶体缺陷（crystal defect）如何起到个别存储单元的作用，以及如何将量子方法与传统计算原理相结合的过程。研究人员认为，这项突破可能重新定义数据存储的极限，为传统计算领域带来超轻薄、超大容量的存储解决方案。

第一作者暨Tian Zhong助理教授实验室博士后研究员Leonardo França在芝加哥大学普利兹克分子工程学院（University of Chicago's Pritzker School of Molecular Engineering，UChicago PME）官网新闻稿表示：“我们找到了能将应用于辐射剂测量定的固态物理学与专注于量子领域的研究团队相结合的方法”。

助理教授Tian Zhong领导下，团队将稀土离子引入晶体，就是将镨（Praseodymium）离子掺杂到氧化钇（Yttrium Oxide）晶体，开发创新存储法。他们认为稀土元素具多样化光学特性，可扩展至其他材料。

记忆系统能让稀土离子通电以释放电子的紫外激光启动，电子困在晶体内的天然缺陷。研究员控制缺陷电荷状态，有效构建出一套二进制系统，带电缺陷代表“1”，不带电缺陷代表